株式会社ハセテックでは、電気自動車用急速充電器、パワー半導体ユニットの開発製造、アルミ筐体・アルミ溶接構造物(アンテナ反射板等)、大型電力素子の受託製造を行っております。

電気自動車用急速充電器開発・製造のハセテック/事業内容/電源機器、電波機器、アルミ筐体、産業用FA

ハセテックは3部門で構成されています。

パワエレ製品部門

パワーエレクトロニクス電源ユニット 設計・開発及び製造

パワー半導体実装技術を生かし、産業用インバーター電源・発電機励磁用電源・誘導加熱炉用高周波電源等、サイリスタ・GTO・IGBT・IPM等の各種パワー半導体とヒートシンクからなる半導体スタックにスナバー回路、ゲートドライブ回路等を組み込んだ電源ユニットとして、多くの産業・電力分野にご提供致します。


電気自動車用急速充電器


一般社団法人 次世代自動車振興センター 「平成26年度補正予算 次世代自動車充電インフラ整備促進事業」の 補助対象機種に認定されました。
※ 充電設備導入費補助のご案内

パワー半導体ユニット画像

パワー半導体ユニット

  • 産業用インバーター電源
  • 発電機励磁用電源
  • 誘導加熱炉用高周波電源
  • 各種電力用半導体スイッチ

電波機器部門/通信機器シャーシ/筐体等 設計・製造

通信機器シャーシ/筐体等 設計・製造

航空・宇宙、防衛分野で求められるアルミニウム素材を用いた精密板金筐体/構造物の設計製造の実績で皆様の幅広いご要求にお応えいたします。
アルミニウム素材の溶接技術は約50年の経験と実績を持ちます。昭和50年代には防衛庁(現防衛省)のMIL規格(米国航空宇宙用溶融溶接)の認定を取得し以来これを維持するとともに近年ではAWS規格(米国溶接協会基準)の認定を取得し、溶融溶接、スポット溶接の分野で高い溶接品質を提供しております。

電波機器部門は、高い技術力と製造ノウハウで品質、コスト、納期ともに皆様のご要求にお応えいたします。


電力素子部門/電力素子・パワー半導体デバイス製造

電力素子・パワー半導体デバイス 製造

パワーエレクトロニクス用デバイスの中で、MOSゲート駆動のIGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)が、これからのパワーエレクトロニクス分野のキーデバイスとして注目されています。

これらの東芝パワーデバイスの一部がハセテックの組立ラインで製造されています。


電力素子

  • IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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